静电会对场效应管造成不良影响吗?为什么?

发布网友发布时间：2023-03-22 21:57

共4个回答

热心网友时间：2023-04-30 21:38

静电会对绝缘栅型场效应管（MOS管）造成不良影响,如果栅极悬空会被击穿。因为静电电压很高，一般是几百伏或者几千伏，而管子栅极耐压不到百伏，栅极的输入电阻极高，几乎是绝缘的，所以为了避免击穿栅极，在平时保管存放时应该把3个电极短路，焊接时使用接地电烙铁。
对于结型场效应管没有影响。

热心网友时间：2023-04-30 21:38

要看场效应管的材料和结构，静电会对绝缘栅型场效应管（MOS管）造成不良影响。

静电会对绝缘栅型场效应管（MOS管）造成不良影响。因为静电电压很高，一般是几百伏或者几千伏，而管子栅极耐压不到百伏，栅极的输入电阻极高，几乎是绝缘的，所以很容易被击穿。为了避免击穿栅极，在平时保管存放时应该把3个电极短路，焊接时使用接地电烙铁。

但是静电对于结型场效应管没有影响。

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconctor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。

热心网友时间：2023-04-30 21:39

场效应管的管脚间阻抗极高，很容易被静电击穿损坏，须将管脚短路贮存，焊接时亦不能去掉短路线，电路板焊接完成后去掉无妨。

热心网友时间：2023-04-30 21:39

听说会烧了~因为静电电压很高的说~