两极双向可控硅怎样用万用表测量好坏
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发布时间：2022-04-20 01:39
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时间：2023-07-05 07:32
用万用表即可判断双向可控硅的好坏，但具体参数测不出来。
用万用表测量的方法如下：
1、T2极的确定：用万用表R*1档或R*100档，分别测量各管脚的反向电阻，其中若测得两管脚的正反向电阻都很小（约100欧姆左右），即为T1和G极，而剩下的一脚为T2极。
2、T1和G极的区分：将这两极其中任意一极假设为T1极而另一极假设为G极，万用表设置为R*1档，用两表笔（不分正负极）分别接触已确定的T2极和假设的T1极，并将接触T1的表笔同时接触假设的G极，在保证不断开假设的T1极的情况下，断开假设的G极，万用表仍显示导通状态。
3、将表笔对换，用同样的方法进行测量，如果万用表仍然显示同样的结果，那么所假设的T1极和G极是正确的。如果在保证不断开假设的T1极的情况下，断开假设的G极，万用表显示断开状态，说明假设的T1和G极相反了，从新假设再进行测量，结果一定正确。
如果测量不出上述结果，说明该双向可控硅是坏的。这种方法虽然不能测出具体参数，但判断是否可用还是可行的。
扩展资料
两极双向可控硅使用需有条件：
（1）外加电压下允许超过正向转折电压，否则控制极将不起作用。
（2）可控硅的通态平均电流从安全角度考虑一般按最大电流的1.5~2倍来取。
（3）为保证控制极可靠触发，加到控制极的触发电流一般取大于其额值，除此以外，还必须采取保护措施，一般对过流的保护措施是在电路中串入快速熔断器，其额定电流取可控硅电流平均值的1.5倍左右，其接入的位置可在交流侧或直流侧，当在交流侧时额定电流取大些。
一般多采用前者，过电压保护常发生在存在电感的电路上，或交流侧出现干扰的浪涌电压或交流侧的暂态过程产生的过压。由于，过电压的尖峰高，作用时间短，常采用电阻和电容吸收电路加以抑制。
参考资料来源：百度百科-双向可控硅
参考资料来源：百度百科-万用表
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时间：2023-07-05 07:33
方法一： 测量极间电阻法。将万用表置于皮R×1k档，如果测得T2－T1、T2－G之间的正反向电阻接近∞，而万用表置于R×10档测得T1－G之间的正反向电阻在几十欧姆 时，就说明双向可控硅是好的，可以使用；反之，若测得T2－T1，、T2－G之间的正反向电阻较小甚或等于零．而Tl－G之间的正反向电阻很小或接近于零时．就说明双向可控硅的性能变坏或击穿损坏。不能使用；如果测得T1－G之间的正反向电阻很大(接近∞)时，说明控制极G与主电极T1之间内部接触不良或开路损坏，也不能使用。
方法二： 检查触发导通能力。万用表置于R×10档：①如图,1(a)所示，用黑表笔接主电极T2，红表笔接T1，即给T2加正向电压，再用短路线将G与T1(或T2)短接一下后离开，如果表头指针发生了较大偏转并停留在一固定位置，说明双向可控硅中的一部分(其中一个单向可控硅)是好的，如图1(b)所示，改黑表笔接主电极T1，红表笔接T2，即给T1加正向电压，再用短路线将G与T1(或T2)短接一下后离开，如果结果同上，也证明双向可控硅中的另一部分(其中的一个单向可控硅是好的。测试到止说明双向可控硅整个都是好的，即在两个方向(在不同极性的触发电压证）均能触发导通。
方法三： 检查触发导通能力。如图2所示．取一只10uF左右的电解电容器，将万用 表置于R×10k档(V电压)，对电解电容器充电3~5s后用来代替图1中的短路线，即利用电容器上所充的电压作为触发信号，然后再将万用表置于R×10档，照图2(b)连接好后进行测试。测试时，电容C的极性可任意连接，同样是碰触一下后离开，观察表头指针偏转情况，如果测试结果与“方法二’相同，就证明双向可控硅是好的。
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时间：2023-07-05 07:33
T2极的确定：用万用表R*1档或R*100档，分别测量各管脚的反向电阻，其中若测得两管脚的正反向电阻都很小（约100欧姆左右），即为T1和G极，而剩下的一脚为T2极。
T1和G极的区分：将这两极其中任意一极假设为T1极而另一极假设为G极，万用表设置为R*1档，用两表笔（不分正负极）分别接触已确定的T2极和假设的T1极，并将接触T1的表笔同时接触假设的G极，在保证不断开假设的T1极的情况下，断开假设的G极，万用表仍显示导通状态。将表笔对换，用同样的方法进行测量，如果万用表仍然显示同样的结果，那么所假设的T1极和G极是正确的。如果在保证不断开假设的T1极的情况下，断开假设的G极，万用表显示断开状态，说明假设的T1和G极相反了，从新假设再进行测量，结果一定正确。
如果测量不出上述结果，说明该双向可控硅是坏的。这种方法虽然不能测出具体参数，但判断是否可用还是可行的。
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时间：2023-07-05 07:34
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时间：2023-07-05 07:34
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