放大器的研究现状?

发布网友发布时间：2022-04-29 04:10

共1个回答

热心网友时间：2023-10-10 16:28

这个很宽泛了撒。比如仪放，零点漂移电压可以做到nV级别，漂移电流可以做到p*，共模抑制比大于120dB，电源抑制比120dB。比如高速运放，电压式运放，增益带宽积可达4GHZ，对电流式，摆率（转换速率）可以达到10000V/uS，
对于低噪运放，在1KHZ~10MHZ，等效噪声可以到1nV/根号HZ以下，对输入级为MOSFET，JFET的，在10~1KHZ，噪声也能做到很低的水平。另外，还有很多特殊功能如压控增益的放大器。

热心网友时间：2023-10-10 16:28

这个很宽泛了撒。比如仪放，零点漂移电压可以做到nV级别，漂移电流可以做到p*，共模抑制比大于120dB，电源抑制比120dB。比如高速运放，电压式运放，增益带宽积可达4GHZ，对电流式，摆率（转换速率）可以达到10000V/uS，
对于低噪运放，在1KHZ~10MHZ，等效噪声可以到1nV/根号HZ以下，对输入级为MOSFET，JFET的，在10~1KHZ，噪声也能做到很低的水平。另外，还有很多特殊功能如压控增益的放大器。

热心网友时间：2023-10-10 16:28

这个很宽泛了撒。比如仪放，零点漂移电压可以做到nV级别，漂移电流可以做到p*，共模抑制比大于120dB，电源抑制比120dB。比如高速运放，电压式运放，增益带宽积可达4GHZ，对电流式，摆率（转换速率）可以达到10000V/uS，
对于低噪运放，在1KHZ~10MHZ，等效噪声可以到1nV/根号HZ以下，对输入级为MOSFET，JFET的，在10~1KHZ，噪声也能做到很低的水平。另外，还有很多特殊功能如压控增益的放大器。

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