发布网友 发布时间:2022-04-29 02:43
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热心网友 时间:2023-10-07 14:45
还有一个重要参数是频率,其次问题是同样电压和电流的IGBT和MOSFET栅极的结电容值有比较大的差别,这会导致管子的导通和关断速度发生变化,使用时要注意。两者对于驱动的要求也比较相似。还有600V以下的IGBT比MOSFET的通态压降要大。总体上是可以替代的。热心网友 时间:2023-10-07 14:45
还有一个重要参数是频率,其次问题是同样电压和电流的IGBT和MOSFET栅极的结电容值有比较大的差别,这会导致管子的导通和关断速度发生变化,使用时要注意。两者对于驱动的要求也比较相似。还有600V以下的IGBT比MOSFET的通态压降要大。总体上是可以替代的。