MOS管DS间有寄生二极管,如何测试BVDSS

发布网友发布时间：2022-04-27 12:20

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热心网友时间：2023-09-18 17:59

不是好多mos有反向二极管，而是大部分都有。测BVdss，不管有没有二极管，测试都是一样的。ID=1mA , Vclamp=600V，就是Device GS short，Vd电压从0-600V 往上加，mos管DS有电压，就会有漏电流，只是电压低时，电流太小，p*，或者测不到，随着电压越来越高，漏电流也越来越大，当漏电流达到1mA的时候，DS加的电压，我们叫BVdss。Clamp=600V，是为了防止有device开路（内部断线或没有die），电压会无限往上加，损坏测试系统，所以最高电压设定只能加到600V，也就是不管Id有没有1mA，Vds到600后，就不继续往上加了。好的Device大概400V左右。如果产品有问题，漏电流大，自然BVds就达不到400V（或者设计时的值）。追问我的问题是，DS间有反向二极管（我用示波器测过，大部分都是二极管其反相击穿电压8V--16V 左右），1mA 的ID 如何得到？虽然示波器可以测试出BVDSS 电压，但是就是想不明白。难道二极管不反相导通？

追答二极管的反向电压不可能是8-16V，你测的这么低，应该是GS没有短路，测量造成的，那不是击穿，是mos管开启了。还有你说的击穿了的测试条件是什么，电流多大？二极管的击穿电压，是产品电压（BVds）的1.2-1.4倍的样子。

1mA的电流是靠检测回路电流得到，也就是在检测到ID=1mA时，Vdd电压停止上升。

以上测试都是建立在测试时间很短的基础上，us级。时间长了，管子发热了，电压电流差别就大了。

注意：BVds是以电流为基础，去测量电压，不是在DS加一个固定的电压。示波器是用来抓信号的，不是测量，如果只有示波器，测BVds时，要用高阻探头，总共电流也就1mA，被示波器吃掉0.1mA，那测什么呢。