发布网友 发布时间:2022-04-28 22:46
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热心网友 时间:2022-06-24 13:08
在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体,掺入五价元素杂质可构成多余壳粒的N形半导体。 ( 两种半导体接触在一起的点或面构成PN结,在接触点或面上N型半导体多余壳粒趋向P型半导体,并形成阻挡层或接触电位差。当P型接正极,N型接负极,N型半导体多余壳粒和PN结上壳粒易往正移动,且阻挡层变薄接触电位差变小,即电阻变小,可形成较大电流;反之当P型接负极,N型接正极,因为P半导体缺壳粒,热运动也难分离出壳粒往正极运动,且阻挡层变厚接触电位差变大,电阻变大,形成较小电流,即具有单向通过电流属性。 )热心网友 时间:2022-06-24 13:08
N型半导体的多数载流子是自由电子,少数载流子是空穴。因为N型半导体是在本征半导体中参入了5价元素的杂质砷(As),每个砷(As)原子有一个价电子不参与共价键,这个过剩的价电子能很容易逃脱原子的束缚而自由移动。这种由杂质提供的价电子就成为N型半导体的多数载流子。