NPN型晶体管发射系数、传输系数、共基增益和共射增益怎样定义

发布网友发布时间：2022-05-16 09:31

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摘要晶体管是电流控制器件，通过改变基极电流，可以对集-射极电流进行控制。在常用的电压放大场合下，这种放大效应来源于用电阻将电流转换为电压。在小信号模型分析法中，基极电流的来源是输入电压与基射极动态电阻rbe的比值。rbe通常为kΩ级，故在小信号情形下基极电流很小，可能只有零点几个mA。通过晶体管的放大作用，基极电流以β倍产生在集射极间。以共射极放大电路为例，以上关系可以表示为：咨询记录 · 回答于2021-11-04NPN型晶体管发射系数、传输系数、共基增益和共射增益怎样定义晶体管是电流控制器件，通过改变基极电流，可以对集-射极电流进行控制。在常用的电压放大场合下，这种放大效应来源于用电阻将电流转换为电压。在小信号模型分析法中，基极电流的来源是输入电压与基射极动态电阻rbe的比值。rbe通常为kΩ级，故在小信号情形下基极电流很小，可能只有零点几个mA。通过晶体管的放大作用，基极电流以β倍产生在集射极间。以共射极放大电路为例，以上关系可以表示为：从而，我们通过交流耦合以及控制集电极电阻Re，可以得到反相的放大的电压信号。但一般发射极会有一个控制增益的电阻，故上述公式并不实用；在非极端情况设计电路时，我们往往希望电路能对大多数通用晶体管工作，故考虑避免rbe这种依赖元件参数的参量存在于我们的计算中。同时，在具体计算时考虑基极电流是很繁琐的事情，故在一般设计过程中，以近似计算的方式忽略基极电流的存在（但在某些电路中，虽然忽略了基极电流，但使电路工作仍需要给基级一定的电流驱动）。增益的计算也从rbe设计为外电路电阻。此外，基射极管压降VBE也是一个非常重要的参量，一般等于0.6V（硅管）。晶体管电路的参数能够由VBE=0.6V和欧姆定律全部求出。晶体管电路的繁琐之处还在于静态工作点的设置，通常，不仔细的设计会造成输出波形的削波失真。这个问题在设计的初期就可以完美解决。还有很多的经验数值的选取值得学习和记忆。整体设计思路是：定量确定电压和电流，来计算电阻。而且一些关键的电压和电流都有经验值或者由手册提供。