发布网友 发布时间:2022-05-16 03:26
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热心网友 时间:2023-10-09 23:23
当P-N结受光照时,样品对光子的本征吸收和非本征吸收都将产生光生载流子。但能引起光伏效应的只能是本征吸收所激发的少数载流子。因P区产生的光生空穴,N区产生的光生电子属多子,都被势垒阻挡而不能过结。只有P区的光生电子和N区的光生空穴和结区的电子空穴对(少子)扩散到结电场附近时能在内建电场作用下漂移过结。光生电子被拉向N区,光生空穴被拉向P区,即电子空穴对被内建电场分离。这导致在N区边界附近有光生电子积累,在P区边界附近有光生空穴积累。它们产生一个与热平衡P-N结的内建电场方向相反的光生电场,其方向由P区指向N区。此电场使势垒降低,其减小量即光生电势差,P端正,N端负。于是有结电流由P区流向N区,其方向与光电流相反。追答电流方向和电子移动方向是相反的这点很重要。你可以把受光照时就想象成一个电池,P端提供空穴带正电,N端提供电子带负电,所以电流就是从P区流向N区。光电流就是受光照的电子,跟光电子流向一样(不要问我为什么我也不清楚 =。=)光电流和光生电流不是同一个概念。漏电流是由少子漂移形成的,结电流是多子扩散形成的,两者方向相反。