改进生长工艺、添加掺杂剂、控制结晶度、修饰量子点表面、优化薄膜结构、采用动态控制技术。
1、改进生长工艺：改进碲化镉的制备工艺可以有助于减小半峰宽。
2、添加掺杂剂：向碲化镉中添加适当的掺杂剂可以改变材料的能带结构，从而减小半峰宽。
3、控制结晶度：提高碲化镉的结晶度有助于减小半峰宽。
4、修饰量子点表面：通过化学或物理手段对量子点表面进行修饰可以改变其光学性质，从而减小半峰宽。
5、优化薄膜结构：在制备碲化镉量子点时，可以优化薄膜的结构参数。以减小半峰宽。
6、采用动态控制技术：使用动态控制技术，从而减小半峰宽。
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